次世代パワー半導体で変わる競争地図

登壇者

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  岩室 憲幸

  筑波大学数理物質系 物理工学域 教授

  早稲田大学理工学部電気工学科卒業後、富士電機株式会社入社。1988年-: シリコン IGBT、ダイオードならびにSiC デバイスの研究開発、製品化に従事。1992-93年: 米国 North Carolina State University, Power Semiconductor Research Center 客員研究員。1998年: 博士(工学)(早稲田大学)。2009年‐2013年: (国)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター SiC パワーデバイス量産化技術開発に従事。2013年-: 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授、現在に至る。専門: SiCパワーデバイスの設計ならびに解析。所属学会: 電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Member