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次世代パワー半導体で変わる競争地図：北米製造業のEV・水素対応戦略とは？

パワー半導体技術は、電気自動車（EV）や再生可能エネルギーの普及とともに、今後ますます重要な役割を担っていきます。
本ウェビナーでは、シリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）などの次世代材料を用いたパワー半導体技術の最前線を紹介します。これらの材料は、高効率で高耐久性を実現し、特にEVや再生可能エネルギーの分野で大きな進展をもたらしています。
岩室憲幸教授（筑波大学）をお迎えし、パワー半導体が産業界でどのように位置付けられ、技術が進化しているのかについて詳しく解説します。特に、電力変換技術の効率化や熱管理技術、次世代材料の応用に焦点を当て、最新の技術トレンドを紹介します。また、EVや水素社会に向けた新エネルギー技術の発展におけるパワー半導体の役割についても触れ、産業界における技術的課題と解決策を学ぶことができます。

アジェンダ

パワー半導体を取り巻く現状
次世代材料によるパワー半導体の進化
EVや水素社会に向けたエネルギー管理技術と活用事例
質疑応答

登壇者

岩室憲幸

筑波大学数理物質系物理工学域教授

早稲田大学理工学部電気工学科卒業後、富士電機株式会社入社。1988年~:シリコン IGBT、ダイオードならびにSiC デバイスの研究開発、製品化に従事。1992~93年:米国North Carolina State University, Power Semiconductor Research Center 客員研究員。1998年:早稲田大学博士(工学)。2009年~2013年:(国)産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター SiC パワーデバイス量産化技術開発。2013年~:筑波大学数理物質系物理工学域教授。現在に至る。専門: SiCパワーデバイスの設計ならびに解析。所属学会: 電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Member