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次世代パワー半導体で変わる競争地図:北米製造業のEV・水素対応戦略とは?

次世代パワー半導体で変わる競争地図:北米製造業のEV・水素対応戦略とは?

開催終了

次世代パワー半導体で変わる競争地図:北米製造業のEV・水素対応戦略とは?

パワー半導体技術は、電気自動車(EV)や再生可能エネルギーの普及とともに、今後ますます重要な役割を担っていきます。
本ウェビナーでは、シリコンカーバイド(SiC)やガリウムナイトライド(GaN)などの次世代材料を用いたパワー半導体技術の最前線を紹介します。これらの材料は、高効率で高耐久性を実現し、特にEVや再生可能エネルギーの分野で大きな進展をもたらしています。
岩室憲幸教授(筑波大学)をお迎えし、パワー半導体が産業界でどのように位置付けられ、技術が進化しているのかについて詳しく解説します。特に、電力変換技術の効率化熱管理技術次世代材料の応用に焦点を当て、最新の技術トレンドを紹介します。また、EV水素社会に向けた新エネルギー技術の発展におけるパワー半導体の役割についても触れ、産業界における技術的課題と解決策を学ぶことができます。

こんな課題を持つ方におすすめ

  1. EVや再生可能エネルギーに関わる製造業関係者
  2. 半導体や次世代材料に関心のある方
  3. パワー半導体がどのように貢献しているかの事例を知りたい方

アジェンダ

  1. パワー半導体を取り巻く現状
  2. 次世代材料によるパワー半導体の進化
  3. EVや水素社会に向けたエネルギー管理技術と活用事例
  4. 質疑応答

登壇者

  • 岩室 憲幸

    岩室 憲幸

    筑波大学数理物質系 物理工学域 教授

    早稲田大学理工学部電気工学科卒業後、富士電機株式会社入社。1988年~:シリコン IGBT、ダイオードならびにSiC デバイスの研究開発、製品化に従事。1992~93年:米国North Carolina State University, Power Semiconductor Research Center 客員研究員。1998年:早稲田大学博士(工学)。2009年~2013年:(国)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター SiC パワーデバイス量産化技術開発。2013年~:筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授。現在に至る。専門: SiCパワーデバイスの設計ならびに解析。所属学会: 電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Member

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